[发明专利]无机/有机介电薄膜的沉积系统及方法无效
申请号: | 00816928.4 | 申请日: | 2000-11-17 |
公开(公告)号: | CN1460130A | 公开(公告)日: | 2003-12-03 |
发明(设计)人: | J·费尔茨;E·S·罗帕塔 | 申请(专利权)人: | 纳米表面系统公司;ASML美国公司 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00;C23F1/02;H01L21/31;H01L21/469 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王杰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种在衬底表面上沉积介电膜的系统和方法,所述系统具有一个带有用于支撑衬底的衬底支架的处理室和一个或多个用于将气体送入处理室的气体入口,提供了在所述处理室内确定第一个等离子体区的第一个等离子体源,而且,还提供了在所述处理室内确定第二个等离子体区的第二个等离子体源。气体分别在所述第一个和第二个等离子体区发生不同程度的离子化,而且,这些分别离子化的气体发生反应,在衬底表面上形成介电膜。 | ||
搜索关键词: | 无机 有机 薄膜 沉积 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.在衬底表面上沉积介电薄膜的系统,包括:具有用于支撑衬底的衬底支架的处理室和一个或多个用于将气体送入处理室的气体入口;在所述处理室内确定第一个等离子体区的第一个等离子体源;以及在所述处理室内确定第二个等离子体区的第二个等离子体源;其中,所述气体在所述第一个和第二个等离子体区分别发生不同程度的离子化,并且,所述分别离子化的气体发生反应,在所述衬底表面上形成介电膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于纳米表面系统公司;ASML美国公司,未经纳米表面系统公司;ASML美国公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/00816928.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体器件,半导体层及其生产方法
- 下一篇:双电刷装置
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的