[发明专利]氮化镓层在蓝宝石基体上的悬挂外延生长

摘要

为了在打底的氮化镓层中定义至少一个柱(106)和至少一条沟槽(107)，可以通过蚀刻在蓝宝石基体(102a)上打底的氮化镓层(104)来制造氮化镓半导体层。所述的至少一个柱包括氮化镓顶端和氮化镓侧壁(105)。所述的至少一条沟槽包括沟槽底面。氮化镓侧壁往所述的至少一条沟槽横向生长，借此形成氮化镓半导体层。在优选实施方案中，所述的至少一条沟槽延伸到蓝宝石基体之内，以致于所述的至少一个柱进一步包括蓝宝石侧壁和蓝宝石底面。在蓝宝石底面上可以包括掩模(201)，在蓝宝石基体和打底的氮化镓层之间还可以包括氮化铝缓冲层(102b)。在氮化镓顶端也可以包括掩模(209)。在底面和顶端上的掩模优选由同一种材料组成。

主权项

1.一种制造氮化镓半导体层的方法，该方法包括下述步骤：蚀刻在蓝宝石基体上打底的氮化镓层，以便有选择地暴露蓝宝石基体和在打底的氮化镓层中定义至少一个柱和至少一条沟槽，所述的至少一个柱每个都包括氮化镓顶端和氮化镓侧壁，所述的至少一条沟槽包括蓝宝石底面；以及让所述的至少一个柱的氮化镓侧壁往所述的至少一条沟槽中横向生长，借此形成氮化镓半导体层。