[发明专利]于EEPROM擦除期间可增进可靠度的减少定电场的方法无效
| 申请号： | 00817240.4 | 申请日： | 2000-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1411602A | 公开（公告）日： | 2003-04-16 |
| 发明（设计）人： | 克莱文德·李 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊,程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种于多重内存单元组成的内存装置擦除期间，减少峰值电场的方法。于擦除期间，本内存单元的电场Efield是由方程式Efield～ag(Vgate－Vth+Vtuv)+(as－1)Vsource所决定的，以及变化栅极电压Vgate施加到擦除的存储单元的栅极以致在擦除过程期间Vgate－Vth是固定的。 | ||
| 搜索关键词： | eeprom 擦除 期间 增进 可靠 减少 电场 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于擦除多个存储单元组成的内存装置中的存储单元的方法，每一存储单元具有源极和控制栅极，其中电场Efield是由方程式Efield～ag(Vgate-Vth+Vtuv)+(as-1)Vsource所决定，此方法包含：的，a)在欲擦除的存储单元上执行紫外线擦除以产生紫外线擦除门限电压，Vtuv；并且因此b)施加电压Vsource到欲擦除的存储单元的源极；以及c)施加变化电压Vgate到欲擦除存储单元的控制栅极，其中，于擦除过程中，Vgate-Vth是固定的；其中，在擦除过程中，该方法用来降低峰值电场。
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