[发明专利]含碳的氮化铝烧结体以及用于半导体制造/检测设备的陶瓷基材无效
| 申请号： | 00817904.2 | 申请日： | 2000-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN1414929A | 公开（公告）日： | 2003-04-30 |
| 发明（设计）人： | 平松靖二;伊藤康隆 | 申请（专利权）人： | IBIDEN股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/581 | 分类号： | C04B35/581 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 周承泽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种含碳的氮化铝烧结体，包括氮化铝基体和包含在其中的峰在激光拉曼光谱分析的1580cm－1和1355cm－1的碳。含碳的氮化铝烧结体由于在200℃或更高温度范围(例如500℃或更高)具有至少1×108Ω·cm高体积电阻率而不会出现短路，掩蔽性能优良，提高了辐射热量，并且能确保用表面温度计进行准确测定。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 烧结 以及 用于 半导体 制造 检测 设备 陶瓷 基材 | ||
【主权项】：
1.一种含碳的氮化铝烧结体，在氮化铝构成的基体中包含其峰在激光拉曼光谱分析的1580cm-1和1355cm-1的碳。
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