[发明专利]含肽半导体用研磨剂无效
| 申请号： | 00818052.0 | 申请日： | 2000-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN1415114A | 公开（公告）日： | 2003-04-30 |
| 发明（设计）人： | 砂原一夫;次田克幸;真丸幸惠 | 申请（专利权）人： | 清美化学股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 胡烨 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了在半导体器件制造的CMP工艺中，能抑制金属层过度氧化、对金属层和/或阻挡层等进行研磨、且能根据不同用途调节研磨速度的研磨剂及研磨方法。使含有抛光磨料和肽的研磨剂与氧化剂一起悬浮于水系介质中，将pH调整到7以上，制成研磨剂浆液。使该研磨剂浆液负载于CMP装置的研磨布上，然后对半导体基板上形成的Cu等金属层和/或阻挡层等进行研磨。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 研磨剂 | ||
【主权项】：
1.研磨剂，所述研磨剂用于半导体器件制造工艺中的化学机械研磨，其特征在于，含有抛光磨料和肽，对在半导体基板上形成的金属层和/或阻挡层进行研磨。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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