[发明专利]用于加工系统的材料和气体化学组成

摘要

本发明公开了一种用于加工衬底的等离子体加工系统。该等离子体加工系统包括单一的腔室,即基本水平对称的等离子体加工腔室,其中点燃并保持等离子体用于加工。该等离子体加工腔室没有单独的等离子体发生腔室。该等离子体加工腔室具有上端和下端。该等离子体加工腔室包含基本不与送入该等离子体加工腔室的反应性气体化学物质反应的材料。此外,本发明公开了流入所述等离子体加工腔室的反应物气体。

主权项

1.一种用于加工衬底的等离子体加工系统，其包括：在其中点燃并维持用于所述加工的等离子体的等离子体加工腔室，所述等离子体加工腔室具有上端和下端，所述等离子体加工腔室包含基本不与送入所述等离子体加工腔室中的反应物气体化学物质反应的材料；布置在所述等离子体加工腔室上端的耦合窗；当所述衬底布置在所述等离子体加工腔室内用于所述加工时，在由所述衬底确定的平面上方布置的RF天线装置；布置在由所述衬底确定的所述平面上方的电磁体装置，构造所述电磁体装置，以便在向所述电磁体装置提供至少一种直流电时，在所述等离子体加工腔室内靠近所述耦合窗和天线附近产生可控磁场的径向变化，所述径向变化有效影响在所述衬底上的加工均匀性；耦合到所述电磁体装置的直流电源，所述直流电源具有控制器以改变所述至少一种直流电流的大小，从而改变在所述等离子体加工腔室内在靠近所述天线的所述区域中的所述可控磁场的径向变化，以改善在所述衬底上的所述加工均匀性。