[发明专利]用于控制等离子体体积的方法和设备有效
申请号: | 00818408.9 | 申请日: | 2000-11-14 |
公开(公告)号: | CN1423828A | 公开(公告)日: | 2003-06-11 |
发明(设计)人: | A·D·拜利三世;A·M·舍普;N·布赖特 | 申请(专利权)人: | 兰姆研究有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 肖春京,黄力行 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 这里公开的是一种用于在采用等离子体增强工艺加工处理室中的衬底的过程中控制等离子体体积的等离子体限定装置。该装置包括具有多个第一磁元件的第一磁性桶形装置。第一磁元件被构型为用于在加工室内产生第一磁场。该装置还包括具有多个第二磁元件的第二磁性桶形装置。第二磁元件被构型为用于在加工室内产生第二磁场。第二磁场构型为与第一磁场组合,以便在第一与第二磁性桶形装置之间产生合成磁场。该合成磁场被构型为在允许加工中产生的副产物气体通过,而将等离子体大致限定在至少由加工室和合成磁场确定的体积内。 | ||
搜索关键词: | 用于 控制 等离子体 体积 方法 设备 | ||
【主权项】:
1.一种用于加工衬底的等离子体加工设备,包括:大致为圆柱形的加工室,在该加工室内等离子体被点燃和保持以进行所述的加工;等离子体限定装置,它包括:围绕所述加工室周边设置的外磁性桶形装置,所述外磁性桶形装置具有相对于所述加工室的轴线放射状地并且对称地设置的多个第一磁元件,所述多个第一磁元件构型为可以产生第一磁场;设在所述加工室内且具有比所述外磁性桶形装置直径小的直径的内磁性桶形装置,所述内磁性桶形装置具有相对所述加工室的轴线放射状地并且对称地设置的多个第二磁元件,所述多个第二磁元件构型为可以产生第二磁场。所述等离子体限定装置被构型为采用所述第一和第二磁场在所述外磁性桶形装置和所述内磁性桶形装置之间产生等离子体限定磁场,使得由所述加工产生的副产物气体可以通过,而把所述等离子体大致限定在至少由所述大致为圆柱形加工室和由所述等离子体限定磁场所确定的体积内。
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