[发明专利]藉由内部及外部光学组件之使用而加强发光二极管中的光放出有效
申请号: | 00818419.4 | 申请日: | 2000-11-28 |
公开(公告)号: | CN1423842A | 公开(公告)日: | 2003-06-11 |
发明(设计)人: | B·希贝欧特;M·马克;S·P·迪巴尔司 | 申请(专利权)人: | 美商克立光学公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 钱慰民 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明揭示一种新的发光二极管,其包含在发光二极管之上或其中的光放出结构(26),以增加其效率。新的光放出结构(26)提供将光反射,折射或散射到比较有利于光漏出封装的方向的表面。该结构可以是光提取组件(42,44,46,48,50,52)或散射层(112,122,134,144,152,162)的数组。光提取组件可具有多种不同的形状并可放置在许多地方以增强超越惯用的发光二极管的效率。散射层提供光散射中心并可放置在许多地方。新的具有光提取组件数组的发光二极管可以使用标准的处理技术,以近似于标准的成本来制造。具有散射层的该新发光二极管以新的方法制造且亦易于制造。 | ||
搜索关键词: | 藉由 内部 外部 光学 组件 使用 加强 发光二极管 中的 放出 | ||
【主权项】:
1.一种具有加强光放出结构之发光二极管(LED),包含:一发光二极管结构(12),其设有:一外延生长p-型层(14);一外延生长n-型层(15);及一外延生长活动层(13),其位于所述p-型与n-型层(14,15)之间;一第一展开层(16),其与所述发光二极管结构(12)邻接;一第二展开层(20),其与所述发光二极管结构(12)邻接,并与所述第一展开层(16)相对;及光放出结构(26),其与所述发光二极管整体配置,所述光放出结构提供表面使所述发光二极管内投射的光从所述发光二极管中散射出、反射出及/或折射出。
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