[发明专利]半导体处理设备

摘要

一种等离子体处理室，包括表面暴露在处理室内部空间的粉浆浇注部件。粉浆浇注部件包括其内所含的游离硅和表面的保护层，该保护层保护硅免受处理室内部空间中的等离子体轰击。粉浆浇注部件可由粉浆浇注碳化硅制成，表面涂有CVD碳化硅。粉浆浇注部件包括处理室的一个或多个部件，例如晶片通道衬垫(21)、一整片或多个瓷片构成的衬套(20)、等离子体挡板(22)、喷淋头、绝缘元件等等。在采用等离子体刻蚀如氧化硅之类的绝缘体材料时，粉浆浇注部件减少了等离子体处理时的颗粒污染和处理偏差。

主权项

1.一种处理半导体衬底以及减少在连续处理衬底时产生的颗粒污染和/或处理偏差的方法，该方法包括以下步骤：(a)将衬底放在等离子体处理室内部空间中的衬底支座上，该处理室至少包括一个表面暴露于内部空间中的粉浆浇注部件，该粉浆浇注部件内含游离硅以及在表面上具有保护层，该保护层保护硅免受内部空间中的等离子体轰击；(b)通过向处理室中提供处理气体并在处理室中将处理气体激发到等离子体状态来处理衬底，粉浆浇注部件暴露在等离子体中具有可选地为维持等离子体的RF电流提供接地路径；(c)将衬底从处理室中取出；并且(d)通过重复步骤(a-c)，同时由于保护游离硅免受等离子体轰击而最小化在处理步骤中对衬底的颗粒污染和/或减小处理偏差，从而在处理室中连续处理其它衬底。