[发明专利]溶液加工有效
申请号: | 00818589.1 | 申请日: | 2000-12-21 |
公开(公告)号: | CN1425202A | 公开(公告)日: | 2003-06-18 |
发明(设计)人: | 翰宁·瑟林浩斯;理查德·H·费莱恩德;塔克·卡瓦斯 | 申请(专利权)人: | 造型逻辑有限公司;精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L51/40 | 分类号: | H01L51/40;H01L51/20 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种在衬底上制作电子器件的方法,该器件包括在多个区域中的导电或半导体材料,器件的运行利用从第一区域到第二区域的电流,该方法包括:通过混和材料和液体形成一种混合物;在衬底上形成一种限定结构,它包括在衬底的第一面积中的第一区域和在衬底的第二面积中的第二区域,第一区域对于混合物的排斥力比第二区域大,该结构还包括从第二面积中由第一面积分开的第三面积中的第三区域,第一区域对于混合物的排斥力比第三区域大,并通过在衬底上涂覆混合物将材料沉积到衬底上,由此沉积的材料可以被第一区域的相对排斥力限制在定义器件的所述第一和第二区域的空间分开的区域上,并且凭借第一区域的相对排斥力在它们的平面内是电隔离的,并且它们将要从衬底的第一面积中消失,以便抵抗沉积材料的空间分开区域之间的跨过第一区域的电流流动。 | ||
搜索关键词: | 溶液 加工 | ||
【主权项】:
1.一种在衬底上制作电子器件的方法,该器件包括在多个区域中的导电或半导体材料,器件的运行利用从第一区域到第二区域的电流,该方法包括:通过混和该材料和一种液体形成一种混合物;在衬底上形成一种限定结构,它包括在衬底的第一地区中的第一区域和在衬底的第二地区中的第二区域,第一区域对于混合物的排斥力比第二区域大,该结构还包括通过第一地区而与第二地区间隔开的衬底的第三地区中的第三区域,第一区域对于混合物的排斥力比第三区域大,并通过在衬底上施加该混合物将材料沉积到衬底上,由此沉积的材料可以被第一区域的相对排斥力限制在定义器件的所述第一和第二区域的间隔开的区域上,并且凭借第一区域的相对排斥力这些材料在它们的平面内是电隔离的,并且它们将要从衬底的第一地区中消失,以便阻挡沉积的材料的间隔开的区域之间的跨过第一区域的电流流动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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