[发明专利]具有改良电流分散结构的可扩展发光二极管有效
| 申请号： | 00818711.8 | 申请日： | 2000-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN1433578A | 公开（公告）日： | 2003-07-30 |
| 发明（设计）人： | E·J·塔沙;B·希贝欧特;J·艾贝森;M·马克 | 申请（专利权）人： | 美商克立光学公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种具有改良电流分散结构的发光二极管提供增强注入发光二极管的活化层(14)的电流，改良其功率和光通量。该电流分散结构可用于比传统发光二极管大的发光二极管，而维持增强电流注入。本发明特别适用于具有绝缘基板(12)的发光二极管，但也可减少具有导电基板的发光二极管的串联电阻。这种改良结构包括形成协同导电路径的导电指形件(20a，20b，22)，该路径可确保电流从接触点(19，21)分散到指形件(20a，20b，22)，并通过反向掺杂层(15，16)均匀分散。电流接着分散到活化层(14)以将电子和电洞均匀注入整层活化层(14)，重新组合发光。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改良 电流 分散 结构 扩展 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种具有增强电流分散结构的可扩展发光二极管(LED)，其特征在于所述发光二极管包括：一发光二极管核心(13)，其有：一外延生长的p型层(16)；一外延生长的n型层(15)；及一在所述p型和n型层(16，18)之间外延生长的活化层(14)；一与所述发光二极管核心(13)相邻的第一分散层(11)；至少一槽(23)，其通过所述发光二极管核心(13)，直至所述第一分散层(11)；一第一接触点(21)，其在所述至少一槽(23)内的所述第一分散层(11)上具有至少一第一导电指形件(22)，以便电流从所述第一接触点(21)流入所述至少一第一导电指形件(22)、所述第一分散层(11)和所述发光二极管核心(13)；一第二接触点(19)，其与所述第一分散层(11)相对，设在所述发光二极管核心(13)上，具有至少一第二导电指形件(20a，20b)，以便电流从所述第二接触点(19)流入所述至少一第二指形件(20a，20b)和所述发光二极管核心(13)。
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