[发明专利]渗透层联接的化学物质及方法无效
| 申请号： | 00819009.7 | 申请日： | 2000-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1434922A | 公开（公告）日： | 2003-08-06 |
| 发明（设计）人： | 约翰·R·黑文斯;西奥多·M·温格;然·克勒茨;丹·斯莫尔卡;托马斯·J·奥诺弗雷 | 申请（专利权）人： | 内诺根公司 |
| 主分类号： | G01N33/543 | 分类号： | G01N33/543;C12Q1/68 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了带有共价键渗透层的可电子寻址的微芯片以及将这种以共价键结合的渗透层联接在微芯片上的方法。共价联接是通过将使用的电极和硅烷衍生物结合而得到的。这种化学物质提供了在对微芯片的电极施以电子偏压时防止渗透层从电极表面上剥离的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 渗透 联接 化学物质 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子可寻址微芯片，包括：a.至少一个电极；b.一个渗透层；以及c.联接所述至少一个电极和所述渗透层的联接剂成分，其中所述联接剂成分与所述电极和渗透层通过共价键联接，所述共价键能够耐受至少0.04nA/μm2的电流强度。
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