[发明专利]MOSFET器件系统和方法无效
| 申请号： | 00819019.4 | 申请日： | 2000-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1434979A | 公开（公告）日： | 2003-08-06 |
| 发明（设计）人： | J·P·辛德尔 | 申请（专利权）人： | 斯平内克半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/76 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国明尼*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了MOSFET器件系统和制造该器件系统的方法。本发明在MOSFET器件结构的范围内采用肖特基势垒接触(301，302)作为源极和/或漏极接触的制造，从而不需要控制短沟道效应的光晕/阱注入物以及浅源极/漏极的外延。另外，本发明无条件地除去了与MOSFET制造相关的寄生双极性的阱，从而减少了生产成本，更紧密地控制器件性能参数，并提供优于现有技术的器件特性。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 器件 系统 方法 | ||
【主权项】：
虽然本发明的一个较佳实施例已在附图中描绘并在上述详细的描述中叙述过，仍然需要理解的是，本发明并不局限于被披露的实施例，而是能在不脱离以下如权利要求所陈述和定义的本发明精神的前体下作许多重新安排、修改和替代。权利要求1.一种MOSFET器件，其特征在于包括：(1)一种源极连接；(2)一种漏极连接；(3)一种在所述源极连接和所述漏极连接之间的基片，所述基片横向均匀掺杂而垂直方向非均匀掺杂；其中，所述源极和/或漏极连接形成连接所述基片的肖特基势垒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
