[发明专利]用超临界二氧化碳工艺从半导体上去除光致抗蚀剂和光致抗蚀残留物无效
| 申请号： | 00819817.9 | 申请日： | 2000-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN1454392A | 公开（公告）日： | 2003-11-05 |
| 发明（设计）人： | W·H·穆利 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/306;G03F7/42;B08B7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,梁永 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了从半导体基底上去除光致抗蚀剂或者光致抗蚀残留物的一种方法。将表面上有光致抗蚀剂或者光致抗蚀残留物的半导体基底放到压力室内。然后给压力室加压。将超临界二氧化碳和剥离剂化学药品导入压力室。超临界二氧化碳和剥离剂化学药品保持与光致抗蚀剂或者光致抗蚀残留物接触，直到从半导体基底去除掉光致抗蚀剂或者光致抗蚀残留物。然后冲洗和风干压力室。在另一个实施方案中，超临界二氧化碳携带有机或者无机化学药品或者有机和无机化学药品的组合进入压力室。有机或者无机化学药品或者它们的组合与晶片表面上的抗蚀剂、抗蚀残留物和有机污染物相互作用，并且将这些材料和剩余化学药品带出这个压力室。 | ||
| 搜索关键词： | 临界 二氧化碳 工艺 半导体 去除 光致抗蚀剂 光致抗蚀 残留物 | ||
【主权项】：
1.从半导体基底表面去除光致抗蚀剂、光致抗蚀残留物及其组合的这一组中选择出来的材料的一种方法，包括以下步骤：a.将半导体基底表面上有这些材料的半导体基底放进压力室内；b.给压力室加压；c.将超临界二氧化碳和剥离剂化学药品导入这个压力室；d.在压力室内混合超临界二氧化碳和剥离剂化学药品，直到从半导体基底上去除掉所述材料；和e.冲洗这一压力室。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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