[发明专利]静电容式传感器无效
| 申请号： | 00820128.5 | 申请日： | 2000-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1479858A | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | 森本英夫 | 申请（专利权）人： | 新田株式会社 |
| 主分类号： | G01B7/00 | 分类号： | G01B7/00;G06F3/033 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;王忠忠 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在基板(20)上形成电容元件用电极(E1～E5)与接地的基准电极(E0)。在与这些电极(E0～E5)相对的位置上，设置随着外部操作的检测构件(30)沿Z轴方向移动而沿Z轴方向位移的位移电极(40)。位移电极(40)和电容元件用电极(E1～E5)与基准电极(E0)之间分别形成电容(C0～C5)。各电容元件(C1～C5)对于外部输入的信号和电容元件(C0)构成串联连接关系，通过检测检测构件(30)移动时的电容元件(C1～C5)的静电容量值的变化来获知检测构件(30)的位移。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种静电容式传感器，其特征在于，设有：定义XYZ三维坐标系时规定XY平面的导电构件，与所述导电构件之间形成第一电容元件的电容元件用电极，与所述导电构件之间形成第二电容元件的接地或保持一定电位的基准电极，以及能够随着沿Z轴方向的移动使所述导电构件或所述电容元件用电极沿Z轴方向位移的检测构件；所述第一电容元件和所述第二电容元件对于输入到所述电容元件用电极上的信号构成串联连接关系，通过检测因所述导电构件和所述电容元件用电极之间的间隔变化而产生的所述第一电容元件的静电容量值的变化，能够获知所述检测构件的位移。
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