[发明专利]把光学信号光学产生的电荷存储在固态成象装置中的方法无效
申请号: | 01102891.2 | 申请日: | 2001-02-22 |
公开(公告)号: | CN1162915C | 公开(公告)日: | 2004-08-18 |
发明(设计)人: | 三井田高 | 申请(专利权)人: | 伊诺太科株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L27/146;H01L31/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 冯谱 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 把由光学信号光学产生的电荷存储在固态成象装置中的方法,包括:制备带有一个单元象素的固态成象装置,该单元象素包括光电二极管111和MOSFET 112,MOSFET 112带有用来存储在光电二极管111中光学产生电荷的载流子袋25,载流子袋25提供在源极区域16附近的沟道区域15c下;把光学产生电荷转移到载流子袋25及然后存储在其中,并把沟道区域15c保持在一种累积状态,从而光学产生电荷不受沟道区域15c中界面层的影响。 | ||
搜索关键词: | 光学 信号 产生 电荷 存储 固态 成象 装置 中的 方法 | ||
【主权项】:
1.一种把由光学信号光学产生的电荷存储在一个固态成象装置中的方法,包括步骤:(i)制备包括一个单元象素的固态成象装置,该单元象素包括(a)一个光电二极管,提供有第一电导类型的阱区域以及形成在该阱区域上的第二电导类型的掺杂区域,从而该光电二极管具有一种埋入结构,和(b)一个用于光学信号检测的场效应晶体管,形成在与光电二极管相邻的阱区域中,该场效应晶体管包括(1)一个第二电导类型的源极区域,形成在该阱区域中,(2)一个第二电导类型的漏极区域,形成在该阱区域中并且连接到该掺杂区域,(3)一个沟道区域,形成在该第二电导类型的源极区域与该第二电导类型的漏极区域之间的阱区域的表面层上,和(4)一个栅电极,通过内插一栅极绝缘膜形成在沟道区域上,以及(5)一个第一电导类型的载流子袋,其中掺杂浓度被设置为比该阱区域中高,该载流子袋提供在沟道区域下的阱区域中;(ii)在光电二极管中通过光照射产生光学产生第一电导类型的电荷;(iii)把光学产生电荷转移到载流子袋,同时通过向栅电极施加栅电位来累积与整个沟道区域上的源极区域相同的电导类型的可移动电荷;(iv)把光学产生电荷存储到载流子袋中,同时通过向栅电极施加栅电位来累积与整个沟道区域上的源极区域相同的电导类型的可移动电荷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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