[发明专利]电容器及其制造方法

摘要

提供集成电路互连级电容器结构及形成方法。该电容器结构包括第一绝缘层；第一、二导电线，配置在第一绝缘层中并由沟槽分隔；第一导电阻挡层；第二绝缘层；第二导电阻挡层；第三导电线，在沟槽中并覆盖第二导电阻挡层。该方法包括在互连级淀积第一绝缘层；在第一绝缘层上形成第一、二导电线；腐蚀第一绝缘层，形成沟槽；在第一、二导电线和沟槽上淀积第一导电阻挡层；在阻挡层上淀积第二级间绝缘层；进而淀积第二导电阻挡层；再形成第三导电线。

主权项

1.集成电路互连级电容器，包括：第一绝缘层，覆盖在具有有源器件的半导体衬底的互连级表面上；第一和第二导电线，配置在所述第一绝缘层中并由沟槽分隔，该沟槽由所述第一绝缘层和所述第一和第二导电线的侧壁限定；第一导电阻挡层，覆盖在所述第一和第二导电线上并与之连接；第二绝缘层，覆盖在所述第一导电阻挡层上；第二导电阻挡层，覆盖在所述第二绝缘层上；和第三导电线，淀积在所述沟槽中并覆盖在所述第二导电阻挡层上。