[发明专利]激光处理方法无效

专利信息
申请号: 01103022.4 申请日: 1995-07-28
公开(公告)号: CN1485892A 公开(公告)日: 2004-03-31
发明(设计)人: 寺本聪;大谷久;宫永昭治;滨谷敏次;山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L21/324 分类号: H01L21/324
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 李亚非
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种激光处理设备提供一加热腔,一用于激光照射的腔以及一机器人臂,其中在其上形成用激光照射的硅膜的基片的温度在加热腔中被加热到450-750℃,接着用激光照射该硅膜,结果能得到具有单晶或能够被认为是单晶的硅膜。
搜索关键词: 激光 处理 方法
【主权项】:
1.一种制造半导体器件的方法,其特征在于,它包括下列步骤:往含有非晶硅的半导体中加入对非晶硅的晶化起促进作用的金属元素;用激光照射半导体;在照射步骤之后在500℃或以上的温度对半导体进行热退火;在上述热退火步骤之后在含氢的氛围中对半导体进行热退火,以便用氢消除内部缺陷。
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