[发明专利]扩散阻挡层和带扩散阻挡层的半导体器件有效
| 申请号： | 01103434.3 | 申请日： | 2001-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN1308375A | 公开（公告）日： | 2001-08-15 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·A·科恩;蒂莫西·J·多尔顿;约翰·A·费兹西蒙斯;斯蒂芬·M·盖兹;莱恩·M·基格纳克;保罗·C·詹米森;康－吾·李;辛帕斯·帕鲁舒塔曼;达尔·D·利斯坦诺;伊万·西蒙尼;霍雷肖·S·威尔德曼 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种带扩散阻挡层的半导体器件,该半导体器件包括,至少一个带导电金属元件的半导体衬底;还有加在至少一部分衬底上的一个扩散阻挡层,其接触导电金属元件,该扩散阻挡层有一个上表面、一个下表面和一个中间部分,由硅、碳、氮和氢形成,氮在整个扩散阻挡层中是非均匀分布的。因此,与扩散阻挡层的中间部分相比,氮在层的上表面和下表面附近浓度更大。还提供了制造这种半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 阻挡 半导体器件 | ||
【主权项】：
1．一种用于半导体器件的扩散阻挡层，该扩散阻挡层有一个上表面、一个下表面和一个中间部分，且含有硅、碳、氮和氢，氮在整个扩散阻挡层中是非均匀分布的。
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