[发明专利]有铁电存储效应存储单元的集成半导体存储器无效
| 申请号： | 01103438.6 | 申请日： | 2001-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN1308338A | 公开（公告）日： | 2001-08-15 |
| 发明（设计）人： | R·埃斯特尔;H·坎多尔夫;H·赫尼格施米德;T·雷尔 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;G11C7/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,王忠忠 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体存储器具有铁电存储效应的存储单元,被组合在列导线和行导线的单元区内。存储单元分别连接在列导线BL1中之一和一个充电导线PL1之间。列导线连接在读放大器上,获得输出信号,充电导线与驱动电路相连,获得规定电位。列导线和充电导线在未激活运行方式,共同在读放大器或驱动电路中与公共供电电位的一个接头相连。因此在导线(BL1,PL1)之间较快的电位均衡是可能的。借此,存储单元内容的非有意改变可保持较小。 | ||
| 搜索关键词： | 有铁电 存储 效应 单元 集成 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1、集成半导体存储器-具有铁电存储效应的存储单元(MC)，-具有一个存储单元阵列，此阵列具有行导线(WL1,WL2)用于选择存储单元(MC)和具有列导线(BL1,BL2)用于存储单元的数据信号的读或写，-其中，存储单元(MC)分别连接在列导线(BL1)中之一和一个充电导线(PL1)之间，-其中，列导线(BL1)连接在读放大器(2)上，在该放大器上可获得输出信号(S21)，-其中，充电导线(PL1)与驱动电路(3)相连接，通过该驱动电路，充电导线(PL1)可加上规定电位(V1,GND)，-其中，列导线(BL1)和充电导线(PL1)分别具有激活的或未激活的运行方式，-其中，列导线(BL1)和充电导线(PL1)在未激活的运行方式中共同在读放大器(2)中或在驱动电路(3)中与公共供电电位(GND)的一个接头(22)相连接。
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