[发明专利]半导体存储器件、其驱动方法及其制造方法

摘要

一种半导体存储器件,当从能产生向上的极化或向下的残留极化的强电介质薄膜中读出对应极化状态的数据时,要在控制栅极上施加偏压,同时把有向下的残留极化的状态设为数据“1”,把从有向上的残留极化的状态到残留极化几乎不存在的状态设为数据“0”。通过把残留极化几乎不存在的状态设为数据“0”,使数据为“0”时的读出电流值近似为一固定值,所以能提高读出精度。并通过预先让一侧数据感应出轨迹来进一步提高读出精度。

主权项

1．一种半导体存储器件，包括：半导体基片；设在所述半导体基片上的强电介质薄膜以及栅极；具有设在所述半导体基片内栅极两侧的源极区域以及漏极区域的场效应型晶体管；其特征在于：所述强电介质薄膜能够产生：根据所述栅极对所述半导体基片的正电压，在所述强电介质薄膜上产生的第1极化；根据所述栅极对所述半导体基片的负电压，在所述强电介质薄膜上产生的第2极化；当所述强电介质薄膜上没有被施加电压时，把所述第1极化以及第2极化中的任意一方残留的状态设为第1逻辑值，把从所述第1极化以及第2极化中的另一方残留的状态到已几乎没有极化残留状态设为第2逻辑值，把所述第1逻辑值以及第2逻辑值中的任意一方的逻辑值数据存储到所述强电介质薄膜上。