[发明专利]CMOS电路的n阱偏压的预设电路及其方法无效

专利信息
申请号: 01103815.2 申请日: 2001-02-15
公开(公告)号: CN1369968A 公开(公告)日: 2002-09-18
发明(设计)人: 姚启泰;沈威辰;刘鸿志 申请(专利权)人: 矽统科技股份有限公司
主分类号: H03K17/08 分类号: H03K17/08;H03K19/0948;H01L27/092
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 蹇炜
地址: 中国*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明说明一种互补式金属氧化物半导体电路的n阱偏压的预设电路及其方法。本发明在电源开启的瞬间将位于n阱区域的一n阱偏压点电连接至电源电压,以避免晶体管电路发生锁定效应。在若干个时钟脉冲后,将该电源电压隔离于该n阱偏压点,且将一n阱偏压电路的输出电连接至该n阱偏压点,以降低该晶体管电路的体效应。
搜索关键词: cmos 电路 偏压 预设 及其 方法
【主权项】:
1.一种互补式金属氧化物半导体电路的n阱偏压的预设电路,包含:一电源开启检测模块,用于检测该晶体管电路的电源是否开启;一n阱偏压电路,用于产生电压值小于电源端电压的一输出;及一切换开关模块,连接于该电源开启检测模块及该n阱偏压电路;若该电源开启检测模块检测出该晶体管电路电源的开启,则电连接该电源端至该晶体管电路的一n阱偏压点,以避免该晶体管电路发生锁定效应;且在若干个时钟脉冲后,将该电源端隔离于该n阱偏压点,且电连接该n阱偏压电路的输出至该n阱偏压点,以降低该晶体管电路的体效应。
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