[发明专利]CMOS电路的n阱偏压的预设电路及其方法无效
| 申请号： | 01103815.2 | 申请日： | 2001-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN1369968A | 公开（公告）日： | 2002-09-18 |
| 发明（设计）人： | 姚启泰;沈威辰;刘鸿志 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08;H03K19/0948;H01L27/092 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蹇炜 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明说明一种互补式金属氧化物半导体电路的n阱偏压的预设电路及其方法。本发明在电源开启的瞬间将位于n阱区域的一n阱偏压点电连接至电源电压,以避免晶体管电路发生锁定效应。在若干个时钟脉冲后,将该电源电压隔离于该n阱偏压点,且将一n阱偏压电路的输出电连接至该n阱偏压点,以降低该晶体管电路的体效应。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 电路 偏压 预设 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种互补式金属氧化物半导体电路的n阱偏压的预设电路，包含：一电源开启检测模块，用于检测该晶体管电路的电源是否开启；一n阱偏压电路，用于产生电压值小于电源端电压的一输出；及一切换开关模块，连接于该电源开启检测模块及该n阱偏压电路；若该电源开启检测模块检测出该晶体管电路电源的开启，则电连接该电源端至该晶体管电路的一n阱偏压点，以避免该晶体管电路发生锁定效应；且在若干个时钟脉冲后，将该电源端隔离于该n阱偏压点，且电连接该n阱偏压电路的输出至该n阱偏压点，以降低该晶体管电路的体效应。
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