[发明专利]电子发射源、电子发射模件、和制造电子发射源的方法无效
| 申请号： | 01104049.1 | 申请日： | 2001-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN1309408A | 公开（公告）日： | 2001-08-22 |
| 发明（设计）人： | 上村佐四郎;长回武志;余谷纯子;村上裕彦 | 申请（专利权）人： | 伊势电子工业株式会社;日本真空技术株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蹇炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种电子发射源,包括衬底和覆膜。衬底由含有一种金属的材料制成,该金属作为纳管纤维生长核的主要成分,并且衬底上具有多个通孔。而覆膜是由在衬底表面和通孔壁面上形成的纳管纤维构成的。还公开了一种制造电子发射源的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 发射 模件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种电子发射源，其特征在于包括：衬底(11)，由含有一种金属的材料制成，该金属作为纳管纤维生长核的主要成分，并且在所述衬底上具有多个通孔(13)；以及覆膜(12)，由在所述衬底的表面和通孔(13)的壁面(14)上形成的纳管纤维构成。
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