[发明专利]用于制作具钽酸锶－铋基介质的存储电容器的方法无效
| 申请号： | 01104074.2 | 申请日： | 2001-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN1311527A | 公开（公告）日： | 2001-09-05 |
| 发明（设计）人： | 哈拉尔德·巴赫霍费尔;瓦尔特·哈特纳;京特·申德勒;托马斯·彼得·哈内德尔;沃尔夫冈·赫恩莱因 | 申请（专利权）人： | 印芬龙科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王仲贤 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于制作具钽酸锶－铋基介质的存储电容器的方法。可以采用下述方式降低存储电容器铁电层(介质)的结晶化温度,在对该层沉积之前将一非常薄的CeO2层覆着在存储电容器的第一铂－电极层上。接着对以非晶状态沉积的介质层通过在范围为590－620℃的温度下进行的热处理进行结晶化。接着覆着第二电极层,从而形成完整的存储电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制作 具钽酸锶 介质 存储 电容器 方法 | ||
【主权项】：
1．一种用于制作存储电容器的方法，所述存储电容器的介质由钽酸锶-铋基铁电层构成，具有如下步骤：-制作第一电极层(1)；-将一CeO2层(2)覆着在第一电极层(1)上，所述CeO2层的厚度＜5nm，尤其是约为1nm；-将一基本非晶形的，含有SrBi2Ta2O9(SBT)或SrBi2(Ta,Nb)2O9(SBTN)或由所述材料构成的介质层(3)覆着在CeO2层(2)上；-在590℃至620℃的范围内进行热处理，使介质层(3)结晶化；-将第二电极层(4)覆着在介质层(3)上。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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