[发明专利]半导体和钛酸锶p－n结无效
| 申请号： | 01104459.4 | 申请日： | 2001-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1165084C | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 吕惠宾;颜雷;戴守愚;陈正豪;周岳亮;陈凡;谈国太;杨国桢 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/36;C04B35/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子学领域，特别是涉及一系列新型p-n结。本发明提供的半导体和钛酸锶p-n结，其特征在于：n型和p型的半导体为掺杂的硅或锗或砷化镓；n型钛酸锶SrAxTi1-xO3或Sr1-xLaxTiO3，其中A是Nb或Sb或Ta；p型钛酸锶SrBxTi1-xO3，其中B是In或Ga或Mn；X＝0.005～0.5；将该p型或n型钛酸锶与该n型或p型半导体进行叠层生长，制备半导体与钛酸锶p-n结、p-p结、n-n结、n-p-n结、p-n-p结。本发明的制作工艺简单，稳定性好，可广泛应用于电子器件及探测器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 钛酸锶 | ||
【主权项】：
1.半导体和钛酸锶p-n结，其特征在于：n型和p型的半导体为掺杂的硅或锗或砷化镓；n型钛酸锶SrAxTi1-xO3或Sr1-xLaxTiO3，其中A是Nb或Sb或Ta；p型钛酸锶SrBxTi1-xO3，其中B是In或Ga或Mn；X＝0.005～0.5；将该p型或n型钛酸锶与该n型或p型半导体进行叠层生长，制备半导体与钛酸锶p-n结、p-p结、n-n结、n-p-n结、p-n-p结。
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