[发明专利]薄膜电极及利用其制造的表面声波器件无效
| 申请号： | 01104546.9 | 申请日： | 1997-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN1317875A | 公开（公告）日： | 2001-10-17 |
| 发明（设计）人： | 中西秀文;桜井敦;小林真人;吉野幸夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03H9/145 | 分类号： | H03H9/145;H03H3/08 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于表面声波器件的薄膜电极及其制造方法。薄膜电极包括在压电衬底上形成的非晶层；以及在所述非晶层上形成的单晶层和取向层中至少一种。薄膜电极的方法包括以下步骤在压电衬底表面形成非晶层，与此同时用辅助离子束照射压电衬底表面；以及用辅助离子束照射非晶层表面以在所述非晶层表面形成单晶层和取向层中至少一种。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电极 利用 制造 表面 声波 器件 | ||
【主权项】：
1．一种用于表面声波器件的薄膜电极，其特征在于包含：在压电衬底上形成的非晶层；以及在所述非晶层上形成的单晶层和取向层中至少一种。
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