[发明专利]半导体集成电路器件及其制造方法有效
| 申请号： | 01104622.8 | 申请日： | 2001-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN1309425A | 公开（公告）日： | 2001-08-22 |
| 发明（设计）人： | 宫木美典;铃木博通;金田刚 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50;H01L23/28;H01L21/50 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能有效地防止由于施加到半导体集成电路器件的卡路里增加产生的线断开的措施。构成半导体集成电路器件以使含有Pd层的金属层提供在具有导电性的连接部件连接的部分中,熔点高于Sn－Pb共晶焊料熔点并含有无Pb作为主要组成金属的合金层提供在树脂模塑部分之外。此外,具有导电性的连接部分接合的部分中厚度等于或大于10μm的金属层提供在连接部件中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种半导体集成电路器件，包括：具有导电性的连接部件；在与所述连接部件连接的部分处提供有包括钯层的金属层的被连接部件；模塑所述要连接部分的树脂；以及电连接到所述被连接部件的部件，其在所述树脂外的部分提供有合金层，该合金层的熔点高于以Pb作为主要组成金属的焊料的熔点且其主要组成金属中不含Pb。
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