[发明专利]双位元非挥发性存储单元的结构及其读写方法

摘要

一种双位元非挥发性存储单元结构及其读写方法，此存储单元包括二堆叠栅结构、二堆叠栅结构间的一掺杂区，及位于二堆叠栅结构外侧的二源/漏极区，源/漏极区的掺杂型态与掺杂区相同。写入时，同时将二堆叠栅结构下方的通道打开，以通道电流的方向选择欲写入的浮置栅极。读数据时，在第一浮置栅极上方的第一、第二控制栅极上施加读取偏压、转移偏压，以二源/漏极区导通与否来决定数据是否写入，其中读取偏压大于擦除状态的通道启始电压，小于写入状态的启始电压，转移偏压大于写入状态的启始电压。

主权项

1.一种双位元非挥发性存储单元的结构，包括：一基底；位于该基底上的二堆叠栅结构，其中每一堆叠栅结构都包括由下而上堆叠的一隧道层、一浮置栅极、一栅间介电层与一控制栅极；一掺杂区，该掺杂区位于该二堆叠栅结构之间的该基底中；以及二源/漏极区，该二源/漏极区分别位于该二堆叠栅结构外侧的该基底中，且该二源/漏极区的掺杂型态与该掺杂区相同。