[发明专利]离子源及其操作方法无效
| 申请号： | 01104953.7 | 申请日： | 2001-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN1312578A | 公开（公告）日： | 2001-09-12 |
| 发明（设计）人： | 山下贵敏 | 申请（专利权）人： | 日新电机株式会社 |
| 主分类号： | H01J27/14 | 分类号： | H01J27/14;H01J37/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华,杨丽琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种离子源，满足关系L＜。这里,施加在所述等离子体产生容器与所述灯丝之间的电弧电压为VA[V],所述等离子体产生容器内的磁场的磁通量密度为B[T],从几乎位于所述灯丝尖部中心的最高频率的电子发射点到等离子体产生容器的工作面前壁的最短距离为L[m]。 | ||
| 搜索关键词： | 离子源 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1．一种离子源，包括：作为阳极的等离子体产生容器；在所述等离子体产生容器的一侧提供的灯丝；在所述等离子体产生容器的另一侧对着所述灯丝提供并保持在灯丝电位或浮动电位的反射器；和用于在所述等离子体容器内的连接所述灯丝和所述反射器的方向上产生磁场的磁体，其中，满足关系：L＜3.37B-1√(VA)×10-6这里，施加在所述等离子体产生容器与所述灯丝之间的电弧电压为VA[V]，所述等离子体产生容器内的磁场的磁通量密度为B[T]，从几乎位于所述灯丝尖部中心的最高频率的电子发射点到等离子体产生容器的工作面前壁的最短距离为L[m]。
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