[发明专利]低压输出同步整流管的自驱动电路

摘要

本发明涉及一种低压输出同步整流管的自驱动电路,包括不对称半桥的主功率MOSFETS1、S2,变压器Tr,同步整流管S3、S4,一个驱动绕组Na,两个二极管D1和D2、两个稳压管ZD1和ZD2、两个三极管Q1和Q2、两个三极管门极电阻R1和R2、两个电容C1和C2。该发明所涉及的电路极大地改善了同步整流管的在低压输出时的自驱动性能,并且结构简单,性能稳定、可靠。

主权项

1、低压输出同步整流管的自驱动电路，包括不对称半桥的主功率MOSFETS1、S2，变压器Tr，同步整流管S3、S4，一个电容Cb、一个驱动绕组Na，两个两极管D1和D2、两个稳压管ZD1和ZD2，所述同步整流管S3、S4的门极电压分别为：Vgs3=NaNpDVinVgs4=NaNp(1-D)Vin调整所述驱动绕组Na的匝数使同步整流管在电源输出电压低于3V或高于6V时均能获得正常工作的驱动电压；所述二极管D1、D2和稳压管ZD1、ZD2的作用是：当所述同步整流管S3导通时，二极管D1和稳压管ZD2将同步整流管S4的门极电压钳位于零电压；当所述同步整流管S4导通时，二极管D2和稳压管ZD1将同步整流管S3的门极电压钳位于零电压；ZD1和ZD2抑制门极电压，保护门极正常工作，D1和D2使S3、S4不同时导通；其特征在于：还设有二个三极管Q1、Q2，所述三极管Q1、Q2的作用是：当同步整流管S4导通时，三极管Q1关断，切断Na，D1，2Ns和ZD1所构成的回路；而当同步整流管S3导通时，三极管Q2关断，切断Na，D2，2Ns和ZD2所构成的回路。