[发明专利]薄膜式锰铜超高压力传感器无效
| 申请号： | 01107159.1 | 申请日： | 2001-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN1131423C | 公开（公告）日： | 2003-12-17 |
| 发明（设计）人： | 杨邦朝;杜晓松;周鸿仁;刘秀蓉;徐蓓娜 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;G01L5/14 |
| 代理公司： | 成都立信专利事务所有限公司 | 代理人： | 冯忠亮 |
| 地址： | 610054 *** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明为薄膜式锰铜超高压力传感器，无机绝缘材料基板(1)上有沉积的锰铜薄膜(2)和电极(3)，锰铜薄膜(2)和电极(3)上覆盖有无机绝缘薄膜(4)，锰铜薄膜(2)可由掩模或光刻方法刻蚀出图形，直接覆盖于基板上或电极上，电极(3)为铜或复合金属薄膜，厚度为1-10μm，电极(3)为四引线单端引出的π形结构或两端引出的H形结构，直接覆盖于基板或锰铜薄膜上，基板(1)和绝缘薄膜(4)的材料为氧化铝或氧化镁或熔融石英，绝缘薄膜(4)的厚度为3-20μm。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 式锰铜 超高 压力传感器 | ||
【主权项】：
1、薄膜式锰铜超高压力传感器，其特征在于无机绝缘材料基板(1)上有沉积的锰铜薄膜(2)和电极(3)，锰铜薄膜(2)和电极(3)上覆盖有无机绝缘薄膜(4)，锰铜薄膜(2)可由掩模或光刻方法刻蚀出图形，直接覆盖于基板上或电极上，电极(3)为铜或复合金属薄膜，厚度为1-10μm，电极(3)为四引线单端引出的π形结构或两端引出的H形结构，直接覆盖于基板或锰铜薄膜上，基板(1)和绝缘薄膜(4)的材料为氧化铝或氧化镁或熔融石英，绝缘薄膜(4)的厚度为3-20μm。
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