[发明专利]低电阻温度系数锰铜薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 01107160.5 | 申请日： | 2001-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN1158402C | 公开（公告）日： | 2004-07-21 |
| 发明（设计）人： | 杨邦朝;杜晓松;周鸿仁;刘秀蓉;徐蓓娜 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/35 |
| 代理公司： | 成都立信专利事务所有限公司 | 代理人： | 冯忠亮 |
| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明为低电阻温度系统锰铜薄膜的制备方法。采用磁控溅射或射频溅射法沉积锰铜薄膜，通过对基板温度、锰铜靶的温度，以及热处理温度的控制，可使制备的锰铜薄膜的电阻温度系统达到±10×10-6/℃，达到了与块状材料相当的水平。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 温度 系数 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种低电阻温度系数锰铜薄膜的制备方法，系用溅射法沉积锰铜薄膜，其特征在于所说的溅射法为磁控溅射或射频溅射法，靶材采用锰铜合金材料，合金组分如下(重量份)：铜84-87％，锰11-13％、镍2-3％，溅射工艺中锰铜靶的温度≤80℃，绝缘基板的加热温度为150-250℃，本底真空小于3×10-3Pa，采用纯氩气作为工艺气体，氩气压力为0.1-5Pa。
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