[发明专利]一种高效半导体纳米材料的制备方法无效

专利信息
申请号: 01107723.9 申请日: 2001-01-12
公开(公告)号: CN1142088C 公开(公告)日: 2004-03-17
发明(设计)人: 崔得良;徐现刚;高善民;殷永泉;黄柏标;潘教青;王继扬;蒋民华 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: C01B21/06 分类号: C01B21/06;C01B25/08;C01G15/00
代理公司: 济南三达专利事务所 代理人: 孙君
地址: 250100*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及磷化物、氮化物半导体纳米材料的制备方法及其应用。将三氯化镓或三氯化铟溶入有机溶剂二甲苯、氯苯或吡啶中,使其浓度达到0.05-0.4摩尔/升;边加热边强烈搅拌,同时加入磷化钠或氮化锂,持续加热搅拌1-4小时,所得粉末抽滤直到水溶液呈中性。本发明磷化镓、磷化铟和氮化镓纳米材料,用于在200-350℃和常压条件下吸附氮气并使之活化和参加反应,用于醇类分子的催化裂解,最低裂解温度60℃。本发明纳米材料粒度均匀,制备过程可控制,产率高,操作安全。
搜索关键词: 一种 高效 半导体 纳米 材料 制备 方法
【主权项】:
1.一种半导体纳米材料的制备方法,包括如下步骤:(1)首先把经过蒸馏和干燥的有机溶剂二甲苯、氯苯或吡啶加入到烧杯中,再溶入三氯化镓或三氯化铟,使其浓度达到0.05摩尔/升~0.1摩尔/升;(2)边加热边强烈搅拌,同时缓慢加入新合成的磷化钠或氮化锂,持续搅拌并加热到80℃~120℃,1小时~4小时后停止加热搅拌;(3)将上述反应所得粉末先用50℃~60℃的苯抽滤数次后,再用去离子水抽滤,直到水溶液呈中性,得磷化镓、磷化铟和氮化镓纳米材料。
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