[发明专利]多晶硅薄膜的制造方法无效
| 申请号： | 01108131.7 | 申请日： | 2001-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN1316770A | 公开（公告）日： | 2001-10-10 |
| 发明（设计）人： | 秦明;黄庆安 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L21/365 | 分类号： | H01L21/365;H01L21/477 |
| 代理公司： | 东南经纬专利代理有限责任公司 | 代理人： | 沈廉 |
| 地址： | 210018*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 多晶硅薄膜的制造方法是一种用镍诱导非晶硅晶化获得高质量多晶硅薄膜的方法，其具体的方法为①在绝缘衬底上淀积一层非晶硅材料；②用二氧化硅覆盖非晶硅薄膜；③在二氧化硅上开一些小窗口使非晶硅薄膜露出并采用干法工艺刻蚀掉露出非晶硅；④在二氧化硅及其上所开的小窗口上蒸发一层金属镍层作为诱导层；⑤在500～650℃的环境下退火以实现非晶硅的晶化。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种多晶硅薄膜的制造方法，其特征在于采用镍诱导非晶硅横向晶化的方法制造多晶硅薄膜，其具体的方法为：①在绝缘衬底(1)上淀积一层非晶硅材料(3)；②用二氧化硅(5)覆盖非晶硅薄膜；③在二氧化硅(5)上开一些小窗口使非晶硅薄膜露出并采用干法艺刻蚀掉露出的非晶硅；④在二氧化硅(5)及其上所开的小窗口上蒸发一层金属镍层作为诱导层(6)；⑤在500～650℃的环境下退火以实现非晶硅的晶化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
