[发明专利]锗/硅复合纳米晶粒浮栅结构MOSFET存储器无效
| 申请号： | 01108248.8 | 申请日： | 2001-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1305232A | 公开（公告）日： | 2001-07-25 |
| 发明（设计）人： | 施毅;郑有炓;顾书林;吴军;杨红官;袁晓莉;张荣;韩平;沈波;胡立群;江若琏;朱顺明 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L27/105 |
| 代理公司： | 南京大学专利事务所 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 锗/硅复合纳米晶粒浮栅结构MOSFET存储器,即金属－氧化物－半导体存储器,以锗/硅复合纳米晶粒镶嵌在二氧化硅中浮栅存储器结构,本发明提出了一种采用锗/硅复合纳米晶粒替代硅纳米晶粒作为NOSFET存储器,即电荷存储单元,使其在较快的擦写时间条件下,仍然有很长的存储时间。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 纳米 晶粒 结构 mosfet 存储器 | ||
【主权项】：
1．锗/硅复合纳米晶粒浮栅结构MOSFET存储器，即金属-氧化物-半导体存储器，以锗/硅复合纳米晶粒镶嵌在二氧化硅中浮栅存储器结构。
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