[发明专利]一种增加碳纳米管比表面积的后处理方法无效
| 申请号： | 01108645.9 | 申请日： | 2001-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN1397488A | 公开（公告）日： | 2003-02-19 |
| 发明（设计）人： | 于作龙;江奇;瞿美臻 | 申请（专利权）人： | 中国科学院成都有机化学研究所 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;C04B41/91;C09K13/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增加碳纳米管比表面积的后处理方法，即通过刻蚀剂KOH、NaOH、LiOH、Ca(OH)2、Na2CO3、K2CO3、H3PO4、K3PO4、ZnCl2等和刻蚀气体CO2、水蒸气等高温处理碳纳米管，达到使碳纳米管比表面积增大的目的，成为活化碳纳米管。这种活化碳纳米管的比表面积可根据需要在100－4000m2/g之间范围内变化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增加 纳米 表面积 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种增加碳纳米管比表面积的后处理方法，其特征在于通过局部刻蚀的方法，使碳纳米管管壁上产生纳米孔(2-100nm)，增加比表面积。
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