[发明专利]使用等离子体降低P型掺杂薄膜阻值的活化方法无效
| 申请号： | 01109030.8 | 申请日： | 2001-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1136608C | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | 曾坚信;蔡文忠;陈聪育 | 申请（专利权）人： | 连威磊晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;H01L21/263;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄健 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种利用远距等离子体将具有高阻值P型薄膜活化成低阻值P型薄膜的方法；上述高阻值P型薄膜为P型掺杂的三族金属氮化物薄膜或P型掺杂的二-六族化合物薄膜。本发明利用活性气体易与氢原子结合的特性，使用射频生成器或电子束使上述气体成为等离子体，在热退火时协助P型掺杂原子与氢原子分离，达到将P型掺杂薄膜活化的目的，因此可以降低热退火处理的温度与时间，减少高温及长时间热处理所带来的扩散问题，提高元件的可靠性，同时达到快速生产的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 等离子体 降低 掺杂 薄膜 阻值 活化 方法 | ||
【主权项】：
1、一种使用等离子体降低P型掺杂薄膜阻值的活化方法，包括：提供第一P型掺杂薄膜，其中，该第一P型掺杂薄膜为III族金属氮化物薄膜或二-六族化合物半导体薄膜；在上述第一P型掺杂薄膜上形成保护层；使用远距等离子体对上述第一P型掺杂薄膜进行处理，其中，该远距等离子体含有容易与氢气反应的第一活性气体；加热上述第一P型掺杂薄膜，使温度由初始温度上升至100℃～1200℃的第一特定温度，并在该第一特定温度维持大于或等于0秒的时间；将温度由上述第一特定温度降至初始温度；除去上述保护层，其中，上述第一P型掺杂薄膜被活化成第二P型薄膜，且上述第二P型薄膜的阻值低于上述第一P型薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于连威磊晶科技股份有限公司，未经连威磊晶科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01109030.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：制造半导体器件的设备和方法
- 下一篇：基板用盒
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
