[发明专利]使用激光降低P型薄膜阻值的活化方法无效
| 申请号： | 01109033.2 | 申请日： | 2001-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1140919C | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | 曾坚信;蔡文忠;陈聪育;许家弘;赖韦志 | 申请（专利权）人： | 连威磊晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种使用激光降低P型薄膜阻值的活化方法，利用激光使具有高阻值的P型薄膜活化成低阻值P型薄膜；高阻值P型薄膜为P型掺杂的III族金属氮化物薄膜或P型掺杂的II-VI族化合物薄膜。本发明的方法可直接在大气环境下进行，不需特别在惰气环境下进行，且可以通过变化激光的功率及焦点距离，以调整功率来缩短活化时间。具有制程容易及节省制作成本的实用功效。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 激光 降低 薄膜 阻值 活化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种使用激光降低P型薄膜阻值的活化方法，其特征在于：它包括如下步骤：提供第一P型掺杂的III族金属氮化物薄膜；使用激光照射在上述第一P型掺杂的III族金属氮化物薄膜上，将上述第一P型掺杂的III族金属氮化物薄膜活化成为第二P型掺杂的III族金属氮化物薄膜，该第二P型掺杂的III族金属氮化物薄膜的阻值低于上述第一P型掺杂的III族金属氮化物薄膜；该活化方法是直接在大气环境下进行，通过变化激光的功率及焦点距离，以调整功率密度来缩短活化时间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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