[发明专利]三族金属氮化物元件的制造方法无效
| 申请号： | 01109034.0 | 申请日： | 2001-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1372301A | 公开（公告）日： | 2002-10-02 |
| 发明（设计）人： | 曾坚信;蔡文忠;陈聪育 | 申请（专利权）人： | 连威磊晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄健 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种三族金属氮化物元件的制造方法,可以改善III族金属氮化物磊晶膜与基板晶格不匹配的问题。本发明利用卤化物气相磊晶法、分子束磊晶法或有机金属化学气相沉积法在氧化铝基板上成长一层三族金属氮化物缓冲层,厚度在0.5μm以上,再用卤化物气相磊晶法或有机金属气相沉积法在缓冲层上成长一层三族金属氮化物厚磊晶层。由于元件是成长在磊晶层上,所以可改善磊晶层与基板晶格不匹配的问题,进而改善元件之特性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氮化物 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三族金属氮化物元件的制造方法，包括：提供氧化铝基板；在上述氧化铝基板上形成缓冲层，其中，该缓冲层系为厚度大于0.5μm的三族金属氮化物；以及在上述缓冲层上形成第一磊晶层，其中，该第一磊晶层为三族金属氮化物。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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