[发明专利]湿处理装置无效
| 申请号： | 01109106.1 | 申请日： | 2001-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN1310467A | 公开（公告）日： | 2001-08-29 |
| 发明（设计）人： | 川口英彦 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,方挺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明的湿处理装置由以下部分组成化学处理池,其中储存有用来处理晶片表面的化学物质;晶片运送器,用于将晶片从化学处理池的内部运进和运出;传感器,确定化学处理池内化学物质中的气泡量并发出第一和第二控制信号;以及清洗池,其中储存有蒸馏水以用于对从化学处理池运送出来的晶片进行清洗;晶片运送装置根据第一控制信号控制晶片从化学处理池中提起的提升速度,并根据第二控制信号控制向清洗池的供水量。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
1．一种湿处理装置，其特征在于包括：化学处理池，其中储存有用来对晶片表面进行处理的化学物质；晶片运送器，用于将所述晶片运进和运出所述化学处理池的内部；传感器，其确定所述化学处理池内化学物质中的气泡量，并发出第一和第二控制信号；以及清洗池，其中储存有用于对所述晶片运送器从所述化学处理池运送出的所述晶片进行清洗的水，其中，所述晶片运送装置将所述晶片从所述化学处理池中提起的提升速度受所述第一控制信号的控制，而向所述清洗池供水的清洗池供水量受所述第二控制信号的控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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