[发明专利]曝光掩模及其制造方法无效
| 申请号： | 01109110.X | 申请日： | 2001-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN1311525A | 公开（公告）日： | 2001-09-05 |
| 发明（设计）人： | 小日向秀夫 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F1/16;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,方挺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种曝光掩模的制造方法,包括以下步骤判定在曝光掩模图形上是否产生环形、叶片、长宽比问题;在判定有问题时,将掩模图形分割并且分配为两块掩模;判定在两块掩模中是否发生环形或叶片问题;在判定发生至少一个问题时,将一个掩模图形的一部分分配成另一掩模;反之则再判定是否发生长宽比问题;若发生,则将一个掩模图形的一部分分配成另一掩模反之则判定在两个掩模图形的连接部分是否有连接不良;若有则在连接部分上形成辅助图形。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种曝光掩模，通过将由多个掩模构成的、设置在各掩模中的掩模图形分别曝光在同一被曝光衬底上，对所要的掩模图形曝光，其特征在于，所述各掩模中所设置的掩模图形由对所需要的掩模图形中存在的环状图形、叶片状图形、长宽比大的图形分别进行分割的图形来构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
