[发明专利]双位沟槽式栅极非挥发性快闪存储单元及其操作方法

摘要

一种双位沟槽式栅极非挥发性快闪存储单元及其操作方法，快闪存储器在一半导体基体的表面形成作为一源极的第一离子掺杂区；在其上间隔设有沟槽及第二离子掺杂区，沟槽包含一栅极及包围该栅极的绝缘介电层，沟槽上覆盖一绝缘层；有一漏极叠设在该第二掺杂区上，一导电层连接各漏极，由绝缘层分隔该导电层与沟槽；对应其有相关的编程、擦除及读取的方法，解决了现有的在读取左右位时必须反相而导致周边线路复杂及面积增加的缺点。

主权项

1、一种双位沟槽式栅极非挥发性快闪存储单元，其特征在于：其包括：一半导体基体；一在半导体基体的表面、作为一源极的第一离子掺杂区；在第一离子掺杂区上间隔设置有沟槽及第二离子掺杂区，该沟槽包含一栅极以及包围该栅极的绝缘介电层；一叠设在第二离子掺杂区上的漏极；一覆盖在沟槽上方的绝缘层；一位于漏极上并连接各漏极的、且由绝缘层将其与沟槽分隔的导电层；所述的绝缘介电层包含有氧化层、捕捉层及氧化层；所述的绝缘介电层为接受并留住被射入其电洞的电荷的储存区域。