[发明专利]一种金属纳米粒子/介质复合光电薄膜及其制备和应用无效
| 申请号： | 01109133.9 | 申请日： | 2001-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN1127113C | 公开（公告）日： | 2003-11-05 |
| 发明（设计）人： | 吴锦雷;许北雪;刘维敏;薛增泉;吴全德 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34;H01J9/12;H01J40/06;C23C14/24;C23C14/00;G01J11/00;H01L31/18;H01L31/02 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 10087*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺杂稀土元素的纳米粒子/介质复合光电薄膜及其制备方法和用途，属于半导体器件领域。稀土纳米粒子和金属Ag纳米粒子均匀地埋藏在半导体介质BaO中。其制备方法是在传统的制备Ag-BaO薄膜工艺中按体积比Ba∶Ag∶稀土＝7∶3∶1蒸发沉积适量的稀土元素，形成掺杂稀土的Ag-BaO薄膜。本发明的薄膜可作为光电发射薄膜材料，用于各种光电阴极中，进行光电检测，超快光电信号转换等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 纳米 粒子 介质 复合 光电 薄膜 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
1.一种金属纳米粒子/介质复合光电薄膜，其特征是在Ag-BaO薄膜中掺杂稀土元素，稀土纳米粒子和金属Ag纳米粒子均匀地埋藏在半导体介质BaO中。
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