[发明专利]具有自我对准分离栅极的快闪存储单元组件及其制造方法

摘要

本发明揭示一种具有自我对准栅极层的集成电路的方法,一基底,为硅晶片。在半导体基底上包括第一隔离区和第二隔离区的场隔离区,在该第一隔离区和第二隔离区间并有一凹陷区。场隔离区利用LOCOS的区域硅氧化方法或其它方法形成。然后,沉积一材料层,如多晶硅层,覆盖第一隔离区、第二隔离区以及主动区。然后,选择性去除部分覆盖第一隔离区和第二隔离区的材料层,并且在该凹陷区形成一实质平坦化的材料区,该材料区是自我对准于该凹陷区。

主权项

1.一种具有自我对准分离栅极的快闪存储单元集成电路的制造方法，其特征是：其步骤包括：形成一半导体基底；形成一第一隔离区以及一第二隔离区于该基底上，该隔离区具有一主动区，且该主动区是定义在该第一隔离区和该第二隔离区间的凹陷区域；形成一介电层覆盖该主动区；形成一材料层覆盖该第一隔离区、该第二隔离区以及该主动区；以及选择性去除部分覆盖该第一隔离区和该第二隔离区的材料层，并且在该凹陷区形成一实质平坦化的材料区，且该实质平坦化的材料区是自我对准于该凹陷区。