[发明专利]晶体管T型发射极或栅极金属图形的制造方法

摘要

本发明晶体管T型发射极或栅极金属图形的制造方法属于半导体集成电路工艺。本方法是先在衬底片上涂两层正性光刻胶，或者先淀积一层SiO₂或SiN介质层后涂正性光刻胶，然后光刻出发射极或栅极窗口图形，再用等离子体刻蚀将上层光刻胶上的窗口图形转移到底层光刻胶或介质层上，适当扩大窗口后蒸发或溅射发射极所需金属，再经剥离获得T型发射极或栅极金属图形。本方法适用于多种金属，使发射区和基区面积大为缩小，器件频率特性提高。

主权项

1.一种晶体管T型发射极或栅极金属图形的制作方法，采用包括光刻机、刻蚀机、蒸发或溅射设备、浸泡剥离设备，其特征是先在衬底片上涂两层正性光刻胶，或者先在衬底片的表面淀积一层SiO2或SiN介质层，再在其上涂正性光刻胶；然后在上层正性光刻胶上光刻出发射极或栅极窗口图形，再用等离子体刻蚀或感应耦合等离子体刻蚀，将上层光刻胶上的发射极或栅极窗口图形转移到下层的光刻胶或介质层上，然后用无掩模泛曝光或强显影或等离子体刻蚀将上层胶窗口适当扩大，继而通过蒸发或溅射制备发射极或栅极所需金属，再经浸泡剥离，从而获得T型发射极或栅极金属图形。