[发明专利]金属基座半导体无效
| 申请号： | 01109339.0 | 申请日： | 2001-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1373509A | 公开（公告）日： | 2002-10-09 |
| 发明（设计）人： | 陈坤忠 | 申请（专利权）人： | 讯利电业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁,顾红霞 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明金属基座半导体,是铝金属制基座成型批覆硬氧处理形成耐高温的绝缘层,供晶片元件接合对应连接基座的导电接线,可适合高温烘烤、提高产品可靠性,基座、晶片元件组装整体具有金属及良好散热特性,晶片元件动作产生热快速散发,确保适宜温度动作。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 基座 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种金属基座半导体，其特征在于其包括有：一基座，其具有耐高温、热传导体的板体，其在设定位置设有一槽座及一定位座；一绝缘层，其具有耐高温的电绝源材质、附着于该基座的表面，并形成适当厚度稳固结合；一导电接线，其具有良好导体，该导电接线连接该定位座的周边；一晶片元件，其是套置于该基座的定位座、接触该绝缘层，该晶片元件的导线对应该导电接线相连通；藉由上述结构，该基座、绝缘层一体结合成耐高温构造，该晶片元件固定于该定位座、并接触该绝缘层，其可供特殊高温烘烤处理稳固结合，且使用时可快速散热。
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