[发明专利]气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法无效
| 申请号： | 01109415.X | 申请日： | 2001-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN1374686A | 公开（公告）日： | 2002-10-16 |
| 发明（设计）人： | 黄大定;李建平;高斐;林燕霞;孙殿照;刘金平;朱世荣;孔梅影 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法,其是用乙硼烷磷烷为掺杂剂生长N－P－N双极晶体管材料时,将乙硼烷、磷烷加热使其裂解为低分子量的原子团束流,降低残余硼、磷杂质的本底浓度,并减少氢对硅生长速率的影响;掺硼结束时,速关断乙硼烷气流并降低乙硼烷裂解炉温度,可将硼严格限制在基区内;生长硅发射区时,将磷炉温度升高,可提高磷掺杂浓度并减少磷烷对硅生长速率的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 分子 外延 生长 锗硅异质结 双极晶体管 材料 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
1、一种气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法，其特征在于，其方法的步骤是：(1)用乙硼烷、磷烷为掺杂剂生长N-P-N硅/锗硅/硅异质结双极晶体管材料时，将乙硼烷、磷烷通过加热炉使其裂解为低分子量的分子束流，从而降低残余硼、磷杂质的本底浓度，并减少磷烷对硅生长速率的影响；(2)锗硅基区掺硼时，将硼炉温度升至850℃以上，掺硼结束时，迅速关断乙硼烷气流并降低乙硼烷裂解炉温度至450℃以下，可将硼严格限制在基区内，硼浓度可达1-2×1019cm-3；(3)生长硅发射区时，将磷炉温度升至800℃-900℃，磷掺杂浓度可达2×1019cm-3以上，并可减少磷烷对硅生长速率的影响。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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