[发明专利]可获得纳米栅的高电子迁移率晶体管制作方法

摘要

一种可获得纳米栅的高电子迁移率晶体管制作方法,首先1.在砷化镓等晶片上光刻有源岛区,2.然后注入质子或氧、硼离子;以常规方法形成源漏金属并合金;3.淀积绝缘层;4.光刻出栅牺牲层;5.溅射或蒸发形成薄膜;6.减薄腐蚀;7.等离子体刻蚀绝缘材料形成栅槽;8.光刻腐蚀出源漏孔,然后涂胶,常规光刻形成宽栅窗口,套刻在栅槽上;9.腐蚀窗口中栅槽下面的N+区;10.蒸发栅金属,并剥离,完成器件制作。

主权项

1、一种可获得纳米栅的高电子迁移率晶体管制作方法，其细栅槽的形成是由淀积绝缘层，制作光刻胶牺牲层，利用蒸发或溅射薄膜并随后反腐蚀减薄该膜，再用等离子体刻蚀牺牲层边沿根部狭缝下面的材料等工序而形成；然后套刻宽栅并腐蚀栅槽中的N+帽层，蒸发栅金属并剥离而制成砷化镓或磷化铟或高电子迁移率晶体管器件或场效应晶体管器件；其特征在于，其步骤如下：步骤1、首先在砷化镓或磷化铟晶体管或场效应晶体管、或高电子迁移率晶体管片上光刻有源岛区，然后，在隔离区注入质子或氧、硼离子实现器件间的隔离，或通过腐蚀去除岛外的隔离区的导电层的方法实现器件隔离；步骤2、以常规方法形成源漏金属，并合金；步骤3、淀积绝缘层；步骤4、光刻出栅牺牲层；步骤5、溅射或蒸发形成膜；步骤6、减薄腐蚀膜；步骤7、等离子体刻蚀绝缘层绝缘材料形成栅槽；步骤8、去除栅牺牲层和膜，并光刻腐蚀出源漏孔，然后涂胶，常规光刻形成宽栅窗口，套刻在栅槽上；步骤9、腐蚀窗口中栅槽下面的N+区；步骤10、蒸发栅金属，并剥离，完成器件制作。