[发明专利]结合旋转涂布的化学机械研磨法无效
| 申请号： | 01109527.X | 申请日： | 2001-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1142581C | 公开（公告）日： | 2004-03-17 |
| 发明（设计）人： | 林启发 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;B24B37/00;B24B7/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种结合旋转涂布的化学机械研磨法，包括提供一半导体基底，此基底具有一不平坦的表面。其次，在此基底上形成一介电层，此介电层通常做为牺牲层或阻绝层。接着，以旋转涂布法在介电层上形成一旋涂材料层，此旋涂材料层包括硅玻璃层或/与聚合物层。最后，以化学机械研磨法进行一平坦化处理。 | ||
| 搜索关键词： | 结合 旋转 化学 机械 研磨 | ||
【主权项】：
1.一种结合旋转涂布的化学机械研磨法，其特征在于包括下列步骤：提供一基底，该基底上设有一表面高低起伏的组件；在该组件上设一牺牲层；在该牺牲层上设一旋涂材料层，该旋涂材料层的材质包括氧化硅与聚合物，且该旋涂材料层的研磨速率低于该牺牲层；对该旋涂材料层与该牺牲层进行研磨。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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