[发明专利]闪存多阶编码方法有效
| 申请号： | 01109531.8 | 申请日： | 2001-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1378216A | 公开（公告）日： | 2002-11-06 |
| 发明（设计）人： | 曾焕秋 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种闪存多阶编码方法,是在一闪存的控制栅与漏极同时施加阶梯状电压波形。当对一闪存数组中的其中之一存储单元进行编码时,于快闪存储单元的漏极施加第一阶梯状电压,其中第一阶梯状电压具有多个相异定值电压。同时于第一阶梯状电压的各个相异定值电压的作用期间,于闪存的控制栅极施加一第二阶梯状电压,其中第二阶梯状电压具有多个相异定值电压。因此,闪存得以被多阶编码。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 编码 方法 | ||
【主权项】：
1.一种闪存多阶编码方法，用以编码一快闪存储单元，其特征在于：包括：在该快闪存储单元的漏极施加一第一阶梯状电压，而该第一阶梯状电压，具有复数阶相异定值电压；于该第一阶梯状电压的各该些相异定值电压的作用期间，于该闪存的控制栅极施加一第二阶梯状电压，该第二阶梯状电压具有复数阶相异定值电压。
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